IRF7379TRPBF IR SOP8 5.8A30V N(P) 沟道 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-13 | 浏览次数:
IRF7379TRPBF IR SOP8 5.8A30V N(P) 沟道 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF7379TRPBF | IR | SOP8 | Original(原装 ) |
IRLR3717PBF 120A20V IR TO252 N沟道 MOS管
IRF7379TRPBF的特征:
第五代技术
超低导通电阻
免费半桥
表面贴装
全雪崩评级
无铅
IRF7379TRPBF的描述:
来自国际的第五代HEXFET整流器采用先进的处理技术,以实现每个硅面积的极低导通电阻。
这个优点,结合HEXFET PowerMOSFET众所周知的快速开关速度和设计灵活的设计,
为设计人员提供了一种非常高效可靠的器件,可用于各种应用。
SO-8已经通过一个定制化框架进行了修改,以增强热特性和多芯片功能,
使其成为各种电源应用中的理想选择。 通过这些改进,
多重设备可以在具有显着减少的电路板空间的应用中使用。
该封装专为气相,红外或波峰焊技术而设计
一般信息
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规格
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联系人:吴小姐
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