IRF9952QTRPBF IR国际整流器 3.5A30V SOP8 N(P)沟道 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-18 | 浏览次数:
IRF9952QTRPBF IR国际整流器 3.5A30V SOP8 N(P)沟道 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF9952QTRPBP | IR | SOP8 | Original(原装) |
IRF8313TRPBF 9.7A30V SOP8 IR N沟道
IRF9952QTRPBF的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
可用于卷带
150°C操作
.
IRF9952QTRPBF的描述:
这些HEXFET®功率MOSFET采用双SO-8封装,采用最新的处理技术,可以实现每个硅片极低导通电阻。
这些HEXFET PowerMOSFET的附加功能是150°C结工作温度,快速的开关速度和更高的反应性雪崩等级。
这些优点结合起来,使这种设计成为一种非常高效和可靠的设备,可用于各种应用。
高效的SO-8封装提供了增强的热电偶特性和双MOSFET不可剥离性,使其成为各种电源应用的理想选择。
这种双表面贴装SO-8可以大大降低电路板空间,并且也可以在Tape&Reel中使用。
IRF9952QTRPBF的包装大纲:
一般信息
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规格
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网 址:www.xjsic.com
联系人:吴小姐
手 机:13590334401
传 真:0755-88600656
Q Q:3343956557
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