FQD1N60C 仙童代理 TO-252 FQD1N60C 1A/600V PDF资料 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-6-16 | 浏览次数:
FQD1N60C 仙童代理 TO-252 FQD1N60C 1A/600V PDF资料 场效应管
FQD1N60C型号 | FQD1N60C品牌 | FQD1N60C封装 | FQD1N60C年份 | FQD1N60C备注 |
FQD1N60C | 仙童 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
MAX706SCSA 16V734A 20-TQFN 集成电路 MAXIM美信
FQD1N60C的特征:
•1.0A,600V,
RDS(on)=11.5Ω@VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型5.0 nC)
•低Crss(典型3.0 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv / dt功能
FQD1N60C的概述:
该N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体
专有的平面条纹和DMOS技术生产。
这种先进的MOSFET技术已经被特别定制,
以降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。
这些器件适用于开关电源,
有源功率因数校正(PFC)和电子镇流器。
FQD1N60C的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明。
FQD1N60C的热特性:
FQD1N60C的封装说明:
FQD1N60C的同系列产品:
FQD1N60 | FQD1N80 | FQD1P50 | FQD2N50 | FQD2N60C |
FQD2N80 | FQD2N90 | FQD4N20 | FQD5N15 | FQD5N20L |
FQD5N30 | FQD5N50C | FQD5P10 | FQD5P20 | FQD60N03 |
FQD6N25 | FQD6N40c | FQD8P10 | FDD4141 | FQD17P06 |
FDD8778 | FDD8796 | FDD5N50 | FDD6688 | FDD3860 |
电子产品广泛用于:
FQD1N60C的一般信息
数据列表
D-PAK Tape and Reel Data;
FQD1N60C, FQU1N60C;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
QFET®
其它名称
FQD1N60CTM-ND
FQD1N60CTMTR
FQD1N60C的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
170pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),28W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11.5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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QQ:1144020760
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