IRL1404STRLPBF IR镇流器 TO-263 40V/160A IRL1404S 场效应管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-10-17 | 浏览次数:
IRL1404STRLPBF IR镇流器 TO-263 40V/160A IRL1404S 场效应管 MOS管
IRL1404S型号 | IRL1404S品牌 | IRL1404S封装 | IRL1404S年份 | IRL1404S备注 |
IRL1404S | IR/镇流器 | TO-263 | 16+ | 原装正品 |
74HCT165D SOIC16 8位并行/串行输出移位寄存器 集成IC NXP恩智浦
IRL1404S的特征:
先进工艺技术 Advanced Process Technology
超低导通电阻 Ultra Low On-Resistance
动态dv / dt等级 Dynamic dv/dt Rating
175°C工作温度 175°C Operating Temperature
快速切换 Fast Switching
全雪崩评级 Fully Avalanche Rated
IRL1404S的概述:
来自国际整流器的第七代HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术,
以实现每个硅面积的极低导通电阻。
这种优点,结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,
为设计人员提供了一种非常高效可靠的器件,可用于各种应用。
D2 Pak是能够容纳高达HEX-4的模具尺寸的表面贴装电源封装。
它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和最低的导通电阻。
D2Pak适用于高电流应用,因为其内部连接电阻较低,
并且在典型的表面贴装应用中可以消散高达2.0W。
通孔版本(IRL1404L)适用于薄型应用。
IRL1404S的绝对最大额定值:
IRL1404S的热阻:
IRL1404S的封装说明:
IRL1404S的同系列产品:
IRL1404S | IRL3713S | IRLS3034 | IRF1310NS | IRF3710S |
IRF1104S | IRF3205S | IRF5210S | IRF9530NS | IRF9540NS |
IRL1004S | IRL1104S | IRL2505S | IRL3502S | IRL8113S |
IRF5305S | IRF540NS | IRF9Z24NS | IRF630NS | IRF640NS |
IRF8010S | IRFS4620 | IRFS5620 | IRF3709S | IRF3711ZS |
电子产品广泛用于:
IRL1404S的一般信息
数据列表
IRL1404(S,L)PbF;
标准包装
800
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
IRL1404STRLPBF-ND
IRL1404STRLPBFTR
SP001557954
IRL1404S的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.3V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
140nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6600pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),200W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 95A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
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