FQPF20N06 仙童 TO-220F 60V/15A PDF资料 场效应管 功率MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-10-20 | 浏览次数:
FQPF20N06 仙童 TO-220F 60V/15A PDF资料 场效应管 功率MOS管
FQPF20N06型号 | FQPF20N06品牌 | FQPF20N06封装 | FQPF20N06年份 | FQPF20N06备注 |
FQPF20N06 | 仙童 | TO-220F | 16+ | 原装正品 |
MAX487CSA 5.25V SOIC8 压摆率有限 MAXIM/美信 集成IC
FQPF20N06的特征:
•15A,60V,RDS(on)=0.06Ω@VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型值为11.5 nC)
•低Crss(典型25 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv / dt功能
•最高结温175°C
FQPF20N06的概述:
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。
这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻,提供卓越的开关性能,
并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
这些器件非常适用于低电压应用,如汽车,DC / DC转换器,
以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
FQPF20N06的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:
FQPF20N06的热特性:
FQPF20N06的封装说明:
FQPF20N06的同系列产品:
FQPF20N06 | FQPF22N30 | FQPF9N90C | FQPF16N25C | FQPF85N06 |
FQPF19N20 | FQPF27N25 | FQPF33N10 | FQPF32N20C | FQPF13N06L |
FQPF7N60C | FQPF5N80 | FQPF7N60 | FQPF2N60C | FQPF9N50C |
FQPF13N50C | FQPF12N60 | FQPF4N60C | FQPF8N60C | FQPF10N60C |
FQPF11N40C | FDPF085N10A | FDPF190N15A | FDPF390N15A | FQPF65N06 |
电子产品广泛用于:
FQPF20N06的一般信息
数据列表
FQPF20N06;
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
QFET®
FQPF20N06的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
590pF @ 25V
Vgs(最大值)
±25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 7.5A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
QQ:1144020760
地址:广东省深圳市福田区华强北都会轩1913