STL36N55M5 550V22.5A N沟道 功率MOS管 DFN ST意法
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-3-4 | 浏览次数:
STL36N55M5 550V22.5A N沟道 功率MOS管 DFN ST意法
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
STL36N55M5 | ST意法 | DFN | 原装正品 |
BAR43FILM 30V100mA 肖特基二极管 SOT23-3 ST意法
STL36N55M5的描述
该器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh™V功率MOSFET
与STMicroelectronics着名的PowerMESH™水平布局结构相结合
由此产生的产品具有极低的导通电阻
这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的
因此特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用
STL36N55M5的开/关状态
STL36N55M5的特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
STL36N55M5的绝对最大额定值
STL36N55M5的封装数据图
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