FDS6681Z P沟道MOS管 30V20A 2.5W SOP-8 FAIRCHILD仙童

来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-7-20 | 浏览次数：

型号	品牌	封装	备注
FDS6681Z	FAIRCHILD仙童	SOP-8	原装现货

FDS6681Z的一般说明

该P沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench®工艺生产

该工艺专为最大限度地降低导通电阻而量身定制

该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载切换应用

FDS6681Z的绝对最大额定值

FDS6681Z的特点

•-20 A，-30 V. RDS（ON）=4.6mΩ@ VGS = -10 V.

RDS（ON）=6.5mΩ@ VGS = -4.5 V.

•用于电池应用的扩展VGSS范围（-25V）

•典型值为8kV的HBM ESD保护等级（注3）

•高性能沟槽技术，可实现极低的RDS（ON）

•高功率和电流处理能力

•端接无铅且符合RoHS标准

FDS6681Z的电气特性

FDS6681Z的热特性

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