FDT86106LZ N沟道MOS管 100V3.2A 2.2W SOT223 FAIRCHILD仙童
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-7-26 | 浏览次数:
FDT86106LZ N沟道MOS管 100V3.2A 2.2W SOT223 FAIRCHILD仙童
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDT86106LZ | FAIRCHILD仙童 | SOT223 | 原装现货 |
NC7SZ57P6X 32mA 可配置多功能 单端 TSSOP-6 FAIRCHILD仙童
FDT86106LZ的一般说明
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产
该工艺经过专门定制,可最大限度地降低通态电阻,同时保持卓越的开关性能
添加了G-S齐纳以增强ESD电压水平
FDT86106LZ的MOSFET最大额定值
FDT86106LZ的特征:
最大rDS(on)=108mΩ,VGS = 10 V,ID = 3.2 A.
最大rDS(on)=153mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 2.7 A.
高性能沟槽技术,适用于极低的rDS(on)
广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
HBM ESD保护等级> 3 KV典型值(注4)
100%UIL测试
符合RoHS标准
FDT86106LZ的订购信息
FDT86106LZ的应用
DC - DC转换
FDT86106LZ的电气特性
联系方式
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企业电话:0755-23940365
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