FDT86106LZ N沟道MOS管 100V3.2A 2.2W SOT223 FAIRCHILD仙童

来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-7-26 | 浏览次数：

型号	品牌	封装	备注
FDT86106LZ	FAIRCHILD仙童	SOT223	原装现货

FDT86106LZ的一般说明

这款N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产

该工艺经过专门定制，可最大限度地降低通态电阻，同时保持卓越的开关性能

添加了G-S齐纳以增强ESD电压水平

FDT86106LZ的MOSFET最大额定值

FDT86106LZ的特征：

最大rDS（on）=108mΩ，VGS = 10 V，ID = 3.2 A.

最大rDS（on）=153mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 2.7 A.

高性能沟槽技术，适用于极低的rDS（on）

广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力

HBM ESD保护等级> 3 KV典型值（注4）

100％UIL测试

符合RoHS标准

FDT86106LZ的订购信息

FDT86106LZ的应用

DC - DC转换

FDT86106LZ的电气特性

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深圳市轩嘉盛电子有限公司

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