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AOD425 30V9A P沟道 功率MOS管 AO代理商 TO252 71W
来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-1-22 14:58:26 | 浏览次数: |
型号:AOD425 30V9A P沟道 功率MOS管 AO代理商 TO252 71W
品牌:AOS/美国万代
封装:TO252
年份:17+
数量:500000(pcs)
备注:500000(pcs)
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详细介绍:
AOD425 30V9A P沟道 功率MOS管 AO代理商 TO252 71W
AOD425型号 |
AOD425品牌 |
AOD425封装 |
AOD425年份 |
AOD425数量 |
AOD425备注 |
AOD425 |
AOS/美国万代 |
TO252 |
2017+ |
500000(pcs) |
全新原装现货 |
一般信息
规格
FET 类型 |
P 沟道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) |
9A(Ta),50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) |
5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
3.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) |
38nC @ 10V |
Voltage Coupled to Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs |
10V |
Vgs(最大值) |
±25V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) |
2200pF @ 15V |
Voltage Coupled to Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds |
15V |
FET 功能 |
- |
功率耗散(最大值) |
2.5W(Ta),71W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) |
17 毫欧 @ 20A,10V |
工作温度 |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装 |
供应商器件封装 |
TO-252,(D-Pak) |
封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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