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IRFB4310 N沟道 MOSFET IR整流器 130A Vds=100V TO-220
来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-7 15:14:55 | 浏览次数: |
型号:IRFB4310 N沟道 MOSFET IR整流器 130A Vds=100V TO-220
品牌:IR/整流器
封装:TO220
年份:17+
数量:20000PCS
备注:20000PCS
详细介绍:
IRFB4310 N沟道 MOSFET IR整流器 130A Vds=100V TO-220
IRFB4310型号 | IRFB4310品牌 | IRFB4310封装 | IRFB4310年份 | IRFB4310数量 | IRFB4310被 |
IRFB4310 | IR整流器 | TO220 | 17+ | 20000PCS | 全新原装现货 |
Attribute | Value |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 130 A |
最大漏源电压 | 100 V |
最大漏源电阻值 | 7 mΩ |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
最大功率耗散 | 300 W |
长度 | 10.66mm |
尺寸 | 10.66 x 4.82 x 9.02mm |
典型接通延迟时间 | 26 ns |
典型关断延迟时间 | 68 ns |
典型输入电容值@Vds | 7670 pF@ 50 V |
典型栅极电荷@Vgs | 170 nC @ 10 V |
宽度 | 4.82mm |
晶体管材料 | Si |
最低工作温度 | -55 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
高度 | 9.02mm |
最高工作温度 | +175 °C |
系列 | HEXFET |