NGB8204NT4G 430V50A TO263 ON安森美 晶体管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-8-1 | 浏览次数:
NGB8204NT4G 430V50A TO263 ON安森美 晶体管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
NGB8204NT4G | ON安森美 | TO263 | 全新原装正品 |
IRF1404ZS 40V180A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
NGB8204NT4G的描述:
该逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)
具有集成ESD和过压钳位保护的单片电路,
可用于电感线圈驱动器应用。
主要用途包括点火,直接燃油喷射,
或需要高压和大电流切换的任何地方。
最大额定值
NGB8204NT4G的特征:
•适用于线圈插头应用
•栅极 - 发射极ESD保护
•温度补偿栅极 - 集电极电压钳限制应力负载
•集成ESD二极管保护
•新设计增加了每个区域的无钳位感应开关(UIS)能量
•接口电源的低阈值电压负载到逻辑或微处理器设备
•低饱和电压
•高脉冲电流能力
•集成栅极 - 发射极电阻器(RGE)
•用于短路能力的发射极镇流器
•提供无铅封装
包装尺寸
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