FQA11N90C 场效应管 900V/11A N沟道 TO-247 MOS管PDF
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-23 | 浏览次数:
FQA11N90C 场效应管 900V/11A N沟道 TO-247 MOS管PDF
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQA11N90C | FAIRCHLD/仙童 | TO-247 | 原装进口 |
AOS/代理商 AOB210 105A 30V N沟道MOSFET TO-263 MOS管
FQA11N90C的图片:
FQA11N90C的概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,
平面条形,工艺技术制造。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻,
提供出色的开关性能,经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些器件非常适用于高效率开关模式电源。
FQA11N90C的特征:
11A,900V,RDS(ON)=1.1Ω@VGS=10 V
低栅极电荷(典型值60 NC)
低CRSS(典型23 pF)的
快速开关
100%雪崩测试
改进dv/ dt能力
FQA11N90CFeatures:
11A, 900V, RDS(on) = 1.1Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 60 nC)
Low Crss ( typical 23 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
绝对最大额定值TC= 25°C除非另有说明:
企业:轩嘉盛电子有限公司
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