FQB30N06L 60V/32A 逻辑N沟道 TO-263 MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-23 | 浏览次数:
FQB30N06L 60V/32A N沟道 TO-263 MOS管 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQB30N06L | FAIRCHILD/仙童 | TO-263 | 原装进口 |
FQA11N90C 场效应管 900V/11A N沟道 TO-247 MOS管PDF
FQB30N06L的图片:
FQB30N06L的特征:
32A,60V,RDS(ON)=0.035Ω@VGS=10 V
低栅极电荷(典型值15 NC)
低CRSS(典型50 pF)的
快速开关
100%雪崩测试
改进dv/ dt能力
175°C最高结温额定值
FQB30N06L Features:
32A, 60V, RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 15 nC)
Low Crss ( typical 50 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating
FQB30N06L的特征:
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻,
提供出色的开关性能,经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些装置非常适用于低电压应用,如汽车,直流/直流转换器,
和高效率在便携式和电池供电的产品的电源开关管理。
绝对最大额定值TC= 25°C除非另有说明:
FQB30N06L的热特性:
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
地址:深圳市福田区华强北都会轩1913