FDD86250 MOS管 TO-252 N沟道 150V/50A 场效应管PDF资料
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-25 | 浏览次数:
FDD86250 MOS管 TO-252 N沟道 150V/50A 场效应管PDF资料
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDD86250 | FAIRCHILD/仙童 | TO-252 | 原装进口 |
MOS管 场效应管 FDB045AN08A0 TO-263 N-Channel 原装
FDD86250的图片:
FDD86250的概述:
FDD86250 这N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power沟道®过程,
采用屏蔽栅极技术生产。
FDD86250 这个过程的通态电阻被优化并同时保持出色的开关性能。
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s
advanced Power Trench ® process
that incorporates Shielded Gate technology.
This process has been optimized for the on-state resistance
and yet maintain superior switching performance.
FDD86250的特征:
FDD86250 屏蔽栅极MOSFET技术
Max rDS(on) = 22 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8A
Max rDS(on) = 31 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6.5 A
100%UIL测试
FDD86250 符合RoHS
FDD86250 MOSFET最大额定值TC= 25°C除非另有说明:
FDD86250 一般信息
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FDD86250 规格
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