FDPF12N50UT MOS管 N-Channel 500V/10A 原装场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-25 | 浏览次数:
FDPF12N50UT MOS管 N-Channel 500V/10A 原装场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDPF12N50UT | FAIRCHILD/仙童 | TO-220F | 原装进口 |
FDD86250 MOS管 TO-252 N沟道 150V/50A 场效应管PDF资料
FDPF12N50UT的图片:
FDPF12N50UT的概述:
UniFET MOSFET TM是基于平面条形和DMOS技术飞兆半导体®的高压MOSFET系列。
这MOSFET是专为降低通态电阻,
并提供更好的开关性能和较高的雪崩能量强度。
超高的UniFET TM FRFET MOSFET具有优越得多体二极管的反向恢复性能。
它的TRR小于50nsec和反向的dv / dt抗扰度分别为20V /纳秒
而正常平面MOSFET有超过200nsec和4.5V/纳秒。
因此超的UniFET MOSFET FRFET可以去除附加组件,
改善需要MOSFET的体二极管的性能改进某些应用系统的可靠性。
该系列器件适用于开关电源ING转换器应用苏通道功率因数校正(PFC),
平板显示器(FPD)电视电源,ATX和电子镇流器。
FDPF12N50UT的特征:
RDS(ON)= 650mΩ(典型值)@ VGS= 10V,ID =5 A
低栅极电荷(典型值21 NC)
低CRSS(典型值为11 pF)
100%的雪崩测试
改进dv/ dt能力
符合RoHS
MOSFET最大额定值TC=25℃,除非另有说明: