FDPF15N65 N-Channel MOSFET 650V MOS管 集成电路ic
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-27 | 浏览次数:
FDPF15N65 N-Channel MOSFET 650V MOS管 集成电路ic FDPF12N50UT MOS管 N-Channel 500V/10A 原装场效应管 FDPF15N65的图片:
FDPF15N65的特征: 15A,650V,RDS(ON)=0.44Ω@VGS=10 V 低栅极电荷(典型值48.5 NC) 低CRSS(典型值23.6 pF 快速开关 100%雪崩测试 改进dv/ dt能力 FDPF15N65 Features: 15A, 650V, RDS(on) = 0.44Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 48.5 nC) Low Crss ( typical 23.6 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability
FDPF15N65的概述:
型号
品牌
封装
备注
FDPF15N65
FAIRCHILD/仙童
TO-220F
原装进口
这些N沟道增强型功率场效应利用Transis-器都采用飞兆半导体专有的,
平面条形,工艺技术制造。
他的先进技术已特别针对迷你迈兹的导通电阻,
优越的开关性能,
从而经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些器件非常适用于高频率-CIE NT开关模式电源和有源功率因数校正。
绝对最大额定值:
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