场效应管 STB100NF04/40V/120A/STB100NF04 TO-263/原装MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-29 | 浏览次数:
场效应管 STB100NF04/40V/120A/STB100NF04 TO-263/原装MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
STB100NF04 | ST/意法 | TO-263 | 原装进口 |
代理ST STB50NE10 N沟道 100V/50A 场效应管 MOS管
STB100NF04的图片:
典型RDS(ON)=0.0043Ω
标准阈DRIVE
100%的雪崩测试
STB100NF04的概述:
这是功率MOSFET ST微电子独有的
“单一特征尺寸™”基于条形工艺的最新发展。
所得晶体管示出了用于低通态电阻,
坚固耐用的雪崩的特性,
因此不太重要的对准步骤的显着的制造再现性非常高的填充密度。
STB100NF04的应用:
大电流,高开关速度
电机控制,音频放大器
DC-DC和DC-AC转换器
电磁铁和继电器驱动
订购信息:
绝对最大额定值:
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