IPD068P03L3G infineon/英飞凌 TO-252 IPD068P03L 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-29 | 浏览次数:
IPD068P03L3Ginfineon/英飞凌 TO-252 IPD068P03L 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IPD068P03L3G | infineon/英飞凌 | TO-252 | 原装进口 |
场效应管 STB100NF04/40V/120A/STB100NF04 TO-263/原装MOS管
IPD068P03L3G的图片:
IPD068P03L3G的概述:
IPD068P3L3G的特征:
•单P沟道的DPAK
•合格根据JEDEC1)为目标应用
•175°C的工作温度
•100%雪崩测试
•无铅;符合RoHS,无卤素
•应用:电源管理
IPD068P3L3G Features:
• single P-Channel in DPAK
• Qualified according JEDEC1) for target applications
• 175 °C operating temperature
• 100% Avalanche tested
• Pb-free; RoHS compliant, halogen free
• applications: power management
最大额定值,在TJ= 25°C,除非另有规定:
一般信息
数据列表
IPD068P03L3 G
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
OptiMOS™
其它名称
IPD068P03L3 G-ND
IPD068P03L3G
IPD068P03L3GBTMA1
SP000472988
规格
FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6.8 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
7720pF @ 15V
功率 - 最大值
100W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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