代理 AO4406场效应管 N沟道AO4406 30V AOS代理 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-1 | 浏览次数:
代理 AO4406场效应管 N沟道AO4406 30V AOS代理 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
AO4406 | AOS/美国万代 | SOP-8 | 原装进口 |
25N06L-TA3-T 场效应管 TO-220 25N06L-TA3-T 60V/25A PDF
AO4406的图片:
AO4406的概述:
该AO4406/ L采用先进的沟槽技术,
提供优异的RDS(ON),
低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。
该器件使得笔记本CPU核DC-DC转换一个优秀的高侧开关。
AO4406和AO4406L是电相同。
-RoHS标准
-AO4406L是无卤
VDS(V)=30V
ID=11.5A(VGS =10V)
RDS(EON)<14mΩ(VGS =10V)
RDS(ON)<16.5mΩ(VGS= 4.5V)
RDS(ON)<26mΩ(VGS =2.5V)
绝对最大额定值TA= 25°C除非另有说明:
一般信息
数据列表
AO4406
SO8 Pkg Drawing
标准包装
3,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
-
其它名称
785-1021-2
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11.5A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
14 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
24nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2300pF @ 15V
功率 - 最大值
3W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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