AOS代理 AO4606 NP沟道 增强模式互补场效应晶体管 PDF资料
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-1 | 浏览次数:
AOS代理 AO4606 NP沟道 增强模式互补场效应晶体管 PDF资料
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
AO4606 | AOS/美国万代 | SOP-8 | 原装进口 |
代理 AO4406场效应管 N沟道AO4406 30V AOS代理 MOS管
AO4606的图片:
AO4606的概述:
该AO4606采用先进的沟槽技术MOSFET,
可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
互补的MOSFET可被用于形成一个水平移位高侧开关,
以及用于其它应用程序的主机
AO4606的特征:
N沟道
VDS (V) = 30V
ID = 6.9A
RDS(ON)
< 28mΩ (VGS=10V)
< 42mΩ (VGS=4.5V)
P沟道
-30V -6A
RDS(ON)
< 35mΩ (VGS = 10V)
< 58mΩ (VGS = 4.5V)
绝对最大额定值TA= 25°C除非另有说明:
热特性:n沟道和p沟道:
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