IR/国际整流器 IRF3315S TO-263 场效应管 全新原装 假一赔十
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-4 | 浏览次数:
IR/国际整流器 IRF3315S TO-263 场效应管 全新原装 假一赔十
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF3315S | IR/国际整流器 | TO-263 | 原装正品 |
场效应管 AOS/代理 AOD408 TO-252 N沟道 晶体管 MOS管
IRF3315的图片:
IRF3315S的特征:
先进的工艺技术
表面贴装(IRF3315S)
通孔薄型(IRF3315L)
175°C工作温度
快速切换
全额定雪崩
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF3315S)
Low-profile through-hole (IRF3315L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRF3315S的概述:
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术,
以实现导通电阻每硅片面积极低。
这样做的好处,与快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知相结合,
为设计者提供了一种用于在各种各样的应用中使用的非常有效和可靠的装置。
该D2PAK是一个表面贴装能容纳芯片的功率封装尺寸高达HEX-4。
它提供了最高功率能力,在任何现有的表面尽可能最低的导通电阻贴装封装。
该D2PAK适合,因为它的低内部连接电阻的高电流的应用,
可以耗散高达2.0W在一个典型的表面贴装应用
贯通孔版(IRF3315L)可用于低轮廓的应用程序。
绝对最大额定值:
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