FDDF3510 MOS管 N沟道 TO-252 场效应管 80V 集成电路ic
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-4 | 浏览次数:
FDDF3510 MOS管 N沟道 TO-252 场效应管 80V 集成电路ic
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDDF3510 | FAIRCHILD/仙童 | TO-252 | 原装正品 |
IR/国际整流器 IRF3315S TO-263 场效应管 全新原装 假一赔十
FDDF3510的图片:
FDDF3510的特征:
Q1:N沟道
最大RDS(ON)=80mΩ在VGS= 10V,ID =4.3A
最大RDS(ON)=88mΩ在VGS=6V,ID =4.1A
Q2:P沟道
最大RDS(ON)=190mΩ在VGS=-10V,ID =-2.8A
最大RDS(ON)=224mΩ在VGS=-4.5V,ID =-2.6A
100%UIL测试
符合RoHS
Q1: N-Channel
Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 10V, ID = 4.3A
Max rDS(on) = 88mΩ at VGS = 6V, ID = 4.1A
Q2: P-Channel
Max rDS(on) = 190mΩ at VGS = -10V, ID = -2.8A
Max rDS(on) = 224mΩ at VGS = -4.5V, ID = -2.6A
100% UIL Tested
RoHS Compliant
FDDF3510S的概述:
这些双N和P沟道增强型功率MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟道®过程,
已特别针对以尽量减少对通态电阻,但保持出色的开关性能产生的。
FDDF3510的应用:
逆变器
H桥
MOSFET最大额定值TC= 25°C除非另有说明:
一般信息
数据列表
FDD3510H
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 阵列
系列
PowerTrench®
其它名称
FDD3510HTR
规格
FET 类型
N 和 P 沟道,共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.3A,2.8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
80 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
800pF @ 40V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商器件封装
TO-252-4L
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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