场效应管 FDP33N25 TO-220 250V N-Channel MOSFET 原装正品
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-5 | 浏览次数:
场效应管 FDP33N25 TO-220 250V N-Channel MOSFET 原装正品
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDP33N25 | FAIRCHILD/仙童 | TO-220 | 原装正品 |
AOS代理 AON6407 N沟道 30V P沟道 场效应管 MOS管
FDP33N25的图片:
FDP33N25的特征:
33A,250V,RDS(ON)=0.094Ω@VGS=10 V
低栅极电荷(典型值36.8 NC)
低CRSS(典型39 pF)的
快速开关
100%雪崩测试
改进dv/ dt能力
33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 36.8 nC)
Low Crss ( typical 39 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
FDP33N25的概述:
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,
平面条形,工艺技术制造。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻,
提供出色的开关性能,
经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些装置非常适用于高效率的开关模式电源和有源功率因数校正。
绝对最大额定值:
一般信息
数据列表
FDP33N25
TO220B03 Pkg Drawing
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
UniFET™
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
33A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
94 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2135pF @ 25V
功率 - 最大值
235W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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