AOS代理 AON6407 N沟道 30V P沟道 场效应管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-5 | 浏览次数:
AOS代理 AON6407 N沟道 30V P沟道 场效应管 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
AON6407 | AOS/美国万代 | DFN5X6 | 原装正品 |
FDD3510 MOS管 N沟道 TO-252 场效应管 80V 集成电路ic
AON6407的图片:
AON6407的概述:
该AON6407结合了先进的沟槽MOSFET技术的低电阻封装可提供极低的RDS(ON)。
AON6407 该器件非常适用于负载开关和电池保护的应用程序。
The AON6407 combines advanced trench MOSFET technology
with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).
AON6407 This device is ideal for load switch and battery protection applications.
AON6407的特征:
VDS -30
ID (at VGS= -10V)-85A
RDS(ON) ( at VGS= -10V)< 4.5mΩ
RDS(ON) (at VGS = -6V)< 6.0mΩ
100%测试
AON6407 100%通过Rg测试
AON6407 绝对最大额定值TA= 25°C除非另有说明:
AON6407 一般信息
数据列表
AON6407
DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing
标准包装
3,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
-
其它名称
785-1421-2
AON6407-ND
AON6407 规格
FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
32A(Ta),85A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
3505pF @ 15V
功率 - 最大值
7.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线
供应商器件封装
8-DFN(5x6)
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
地址:深圳市福田区华强北都会轩1913