IRFP064N IR/国际整流器 IRFP064N TO-247 55V 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-5 | 浏览次数:
IRFP064N IR/国际整流器 IRFP064N TO-247 55V 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRFP064N | IR/国际整流器 | TO-247 | 原装正品 |
AP9990GP-HF MOS管 N沟道 TO-220 APEC/富鼎 场效应管 功率管
IRFP064N的图片:
IRFP064N的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv/ dt的额定值
175°C工作温度
快速切换
全额定雪崩
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRFP064N的概述:
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术,
以实现导通电阻每硅片面积极低。
这样做的好处,
与快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知相结合,
提供了用于使用一个非常有效和可靠的设备的设计者在各种的应用
该TO-247封装是首选的,
其中更高的功率水平排除使用TO-220设备的商业工业应用。
该TO-247是因为它的孤立的安装孔相似,
但优于早期的TO-218封装。
绝对最大额定值:
一般信息
数据列表
IRFP064NPbF
标准包装
25
包装
散装
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
*IRFP064NPBF
SP001554926
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
110A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 59A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
4000pF @ 25V
功率 - 最大值
200W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AC
企业:轩嘉盛电子有限公司
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