AOTF22N50 TO-220F 代理/AOS 500V N沟道场效应管 原装
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-6 | 浏览次数:
AOTF22N50 TO-220F 代理/AOS 500V N沟道场效应管 原装
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
AOTF22N50 | AOS/美国万代 | TO-220F | 原装正品 |
IRFP064N IR/国际整流器 IRFP064N TO-247 55V 场效应管
AOTF22N50的图片:
AOTF22N50的概述:
该AOT22N50&AOTF22N50一直在使用,
旨在实现在流行AC-DC应用的高层次的性能和稳健先进的高电压MOSFET工艺。
通过提供低RDS(on),
西塞和CRSS与雪崩能力保证这些部件
可以通过迅速进入新的和现有的离线功率电源设计。
无卤加“L”后缀的零件编号:AOT22N50L&AOTF22N50L
AOTF22N50的特征:
VDS 600V@150°C
ID (at VGS=10V) 22A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.26Ω
100%测试
100%通过Rg测试
绝对最大额定值TA= 25°C除非另有说明:
一般信息
数据列表
AOT(F)22N50(L)
TO220F Pkg Drawing
标准包装
1,000
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
-
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
260 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
83nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
3710pF @ 25V
功率 - 最大值
50W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220-3F
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