IRFP150N TO-247 100V 场效应管 IR/国际整流器 全新原装
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-6 | 浏览次数:
IRFP150N TO-247 100V 场效应管 IR/国际整流器 全新原装
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRFP150N | IR/国际整流器 | TO-247 | 原装正品 |
场效应管 FQB5N90 FAIRCHILD/仙童 TO-263 原装MOS管
IRFP150N的图片:
IRFP150N的特征:
先进的工艺技术
动态的dv/ dt的额定值
175°C工作温度
快速切换
全额定雪崩
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRFP150N的概述:
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术,
以实现导通电阻每硅片面积极低。
这样做的好处,与快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知相结合,
为设计者提供了一种用于在各种各样的应用中使用的非常有效和可靠的装置。
该TO-247封装是首选的,其中更高的功率水平排除使用TO-220设备的商业工业应用。
该TO-247是因为它的孤立的安装孔相似,但优于早期的TO-218封装
绝对最大额定值:
一般信息
数据列表
IRFP150NPbF
标准包装
25
包装
散装
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
*IRFP150NPBF
SP001564068
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
36 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1900pF @ 25V
功率 - 最大值
160W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AC
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