场效应管 FQB5N90 FAIRCHILD/仙童 TO-263 原装MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-6 | 浏览次数:
场效应管 FQB5N90 FAIRCHILD/仙童 TO-263 原装MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQB5N90 | FAIRCHILD/仙童 | TO-263 | 原装正品 |
AOTF22N50 TO-220F 代理/AOS 500V N沟道场效应管 原装
FQB5N90的图片:
FQB5N90的概述:
这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆半导体专有的平面条形和工艺技术制造。
这种先进的MOSFET技术已特别针对减少通态电阻,
并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。
这些器件适用于开关模式电源,
有源功率因数校正(PFC),和电子镇流器。
FQB5N90的特征:
5.4 A,900 V,RDS(ON)=2.3Ω(最大值)@ VGS= 10V,
ID=2.7A
低栅极电荷(典型值31 NC)
低CRSS(典型值13 pF)
100%的雪崩测试
符合RoHS
5.4 A, 900 V, RDS(on) = 2.3 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 2.7 A
Low Gate Charge (Typ. 31 nC)
Low Crss (Typ. 13 pF)
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant
绝对最大额定值TC= 25°C除非另有说明:
一般信息
数据列表
FQB5N90, FQI5N90
标准包装
800
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
QFET®
其它名称
FQB5N90TM-ND
FQB5N90TMTR
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.3 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1550pF @ 25V
功率 - 最大值
3.13W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263-2
企业:轩嘉盛电子有限公司
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