场效应管 FQP4P40 400V 仙童 P沟道 TO-220 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-7 | 浏览次数:
场效应管 FQP4P40 400V 仙童 P沟道 TO-220 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQP4P40 | FAIRCHILD/仙童 | TO-220 | 原装正品 |
FQP4P40的图片:
FQP4P40的概述:
这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,
平面条形,工艺技术制造。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻,
提供出色的开关性能,
经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些设备是基于免费半桥非常适用于电子镇流器
FQP4P40的特征:
-3.5A,-400V,RDS(ON)=3.1Ω@VGS=-10 V
低栅极电荷(典型值18 NC)
低CRSS(典型值为11 pF)
快速开关
100%雪崩测试
改进dv/ dt能力
-3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1Ω @VGS = -10 V
Low gate charge ( typical 18 nC)
Low Crss ( typical 11 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
一般信息
数据列表
FQP4P40
TO220B03 Pkg Drawing
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
QFET®
其它名称
FQP4P40-ND
FQP4P40FS
规格
FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.1 欧姆 @ 1.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
680pF @ 25V
功率 - 最大值
85W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
企业:轩嘉盛电子有限公司
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