IRFZ48NPBF N沟道场效应管 IRFZ48N TO-220 原装MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-7 | 浏览次数:
IRFZ48NPBF N沟道场效应管 IRFZ48N TO-220 原装MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRFZ48NPBF | IR/国际整流器 | TO-220 | 原装正品 |
场效应管 FQP4P40 400V 仙童 P沟道 TO-220 MOS管
IRFZ48NPBF的图片:
IRFZ48NPBF的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv/ dt的额定值
175°C工作温度
快速切换
全额定雪崩
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRFZ48NPBF的概述:
先进的HEXFET®国际整流器功率MOSFET采用先进的加工技术,
以实现导通电阻每硅片面积极低。
这样做的好处,与快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知相结合,
为设计者提供了一种用于在各种各样的应用中使用的非常有效和可靠的装置。
该TO-220封装普遍首选的在功耗水平大约50瓦特所有商业工业应用。
低热阻和TO-220的低封装成本有助于其广泛接受整个行业
绝对最大额定值:
一般信息
数据列表
IRFZ48NPbF
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
*IRFZ48NPBF
SP001552474
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
64A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
14 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1970pF @ 25V
功率 - 最大值
130W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
地址:深圳市福田区华强北都会轩1913