IPP086N10N3G 场效应晶体管 IPP086N10N3G TO-220 N沟道 100V MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-7 | 浏览次数:
IPP086N10N3G 场效应晶体管 IPP086N10N3G TO-220 N沟道 100V MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IPP086N10N3G | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | 原装正品 |
FQP6N60C N沟道 FQPF6N60 场效应管 TO-220 600V MOS管
IPP086N10N3G的图片:
IPP086N10N3G的特征:
N沟道,正常水平
优秀的门料X的RDS(on)产品(FOM)
极低的导通电阻RDS(ON)
175°C的工作温度
无铅镀铅;符合RoHS标准
根据JEDEC1)为目标应用程序合格
非常适合高频率切换和同步整流
无卤素根据IEC61249-2-21*
N-channel, normal level
Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Halogen-free according to IEC61249-2-21 *
IPP086N10N3G的概述:
最大额定值,在TJ= 25°C,除非另有规定:
一般信息
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规格
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企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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