FQP6N60C N沟道 FQPF6N60 场效应管 TO-220 600V MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-7 | 浏览次数:
FQP6N60C N沟道 FQPF6N60 场效应管 TO-220 600V MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQP6N60C | FAIRCHILD/仙童 | TO-220 | 原装正品 |
STB20NM50 TO-263 STB20NM50 N沟道 ST/意法 集成电路 MOS管
FQP6N60C的图片:
FQP6N60C的概述:
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用Fairchildís专有的,
平面条形,工艺技术制造。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻,
提供出色的开关性能,经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些装置非常适用于高效率基于半桥拓扑的开关模式电源,
有源功率因数校正,电子镇流器。
FQP6N60C的特征:
5.5A,600V,RDS(ON)=2.0Ω@VGS=10 V
低栅极电荷(典型值16 NC)
低CRSS(典型值7 pF的)
快速开关
100%雪崩测试
改进dv/ dt能力
5.5A, 600V, RDS(on) = 2.0Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 16 nC)
Low Crss ( typical 7 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
绝对最大额定值TC =25∞C除非另有说明:
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
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