IRF1404S N沟道 TO-263 原装进口IR MOS管 MOSFET场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-8 | 浏览次数:
IRF1404S N沟道 TO-263 原装进口IR MOS管 MOSFET场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF1404S | IR/国际整流器 | TO-263 | 原装正品 |
SPP11N60C3 INFINEON/英飞凌 TO-220 IGBT管 MOS管
IRF1404S的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv/dt的额定值
175°C工作温度
快速切换
全额定雪崩
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
IRF1404S的概述:
第七代HEXFET®国际整流器功率MOSFET采用先进的加工技术,
以实现导通电阻每硅片面积极低。
这样做的好处,与快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知相结合,
为设计者提供了一种用于在各种各样的应用中使用的非常有效和可靠的装置。
该D2PAK是一个表面贴装能容纳芯片的功率封装尺寸高达HEX-4。
它提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻中的任何现有的表面贴装型封装。
该D2PAK适合,因为它的低内部连接电阻的高电流的应用,
可以耗散高达2.0W在一个典型的表面贴装应用。
通孔版本(IRF1404L)可用于低配置应用程序
绝对最大额定值:
一般信息
数据列表
IRF1404(S,L)PbF
标准包装
800
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
IRF1404STRLPBF-ND
IRF1404STRLPBFTR
SP001570024
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
162A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 95A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
7360pF @ 25V
功率 - 最大值
3.8W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
地址:深圳市福田区华强北都会轩1913