NGB8207NT4G ON/安森美 TO-263 N沟道 IGBT 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-8 | 浏览次数:
NGB8207NT4G ON/安森美 TO-263 N沟道 IGBT 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
NGB8207NT4G | ON/安森美 | TO-263 | 原装正品 |
IRF1404S N沟道 TO-263 原装进口IR MOS管 MOSFET场效应管
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK:
这个逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)功能的单片电路集成ESD
和过电压保护夹在电感线圈驱动器应用。
主要用途包括点火,直接燃油喷射,或任何需要高电压和高电流开关。
NGB8207NT4G的特征:
理想的线圈上插头和驱动盘管应用
门射ESD保护
温度补偿门集电极电压钳位限制施加的应力加载
集成ESD保护二极管
低阈值电压为电源接口负载逻辑或微处理器设备
低饱和电压
高脉冲电流能力
最小雪崩能量-500毫焦
栅极电阻(RG)=70瓦
这是一个无铅器件
Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications
Gate−Emitter ESD Protection
Temperature Compensated Gate−Collector
Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
Integrated ESD Diode Protection
Low Threshold Voltage for Interfacing
Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
Low Saturation Voltage
High Pulsed Current Capability
Minimum Avalanche Energy − 500 mJ
Gate Resistor (RG) = 70 W
This is a Pb Free Device
最大额定值(TJ= 25°C除非另有说明):
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
地址:深圳市福田区华强北都会轩1913