IRF1407S 功率MOS管 TO-263 N沟道 75V 集成ic 原装正品
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-9 | 浏览次数:
IRF1407S 功率MOS管 TO-263 N沟道 75V 集成ic 原装正品
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF1407S | IR/国际整流器 | TO-220 | 原装正品 |
FDD6680 FAIRCHILD/仙童 TO-252 N沟道 场效应管
IRF1407S的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv/ dt的额定值
175°C工作温度
快速切换
重复性雪崩中允许多达TJMAX
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRF1407S的概述:
先进的HEXFET®国际整流器功率MOSFET采用先进的加工技术,
以实现导通电阻每硅片面积极低。
这样做的好处,与快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知相结合,
为设计者提供了一种用于在各种各样的应用中使用的非常有效和可靠的装置。
该D2PAK是一个表面贴装能容纳芯片的功率封装尺寸高达HEX-4。
它提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻中的任何现有的表面贴装型封装。
该D2PAK适合,因为它的低内部连接电阻的高电流的应用,
可以耗散高达2.0W在一个典型的表面贴装应用。
贯通孔版(IRF1407L)可用于低轮廓的应用程序。
绝对最大额定值:
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