FDD6680 FAIRCHILD/仙童 TO-252 N沟道 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-8 | 浏览次数:
FDD6680 FAIRCHILD/仙童 TO-252 N沟道 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDD6680 | FAIRCHILD/仙童 | TO-252 | 原装正品 |
NGB8207NT4G ON/安森美 TO-263 N沟道 IGBT 场效应管
FDD6680的概述:
这N沟道MOSFET的使用已特别是针对减少通态电阻,
但保持出色的开关性能低栅极电荷飞兆半导体先进的功率沟道工艺生产的。
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench
process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain
low gate charge for superior switching performance.
FDD6680的特征:
46 A,30 V
RDS(ON)= 10毫欧@ VGS =10V
RDS(ON)=15毫欧@ VGS =4.5 V
低栅极电荷
开关速度快
高性能沟道技术极低的RDS(ON
46 A, 30 V
RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 4.5 V
Low gate charge
Fast Switching Speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON
绝对最大额定值=25℃,除非另有说明:
一般信息
数据列表
FDD6680AS
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
PowerTrench®,SyncFET™
其它名称
FDD6680AS-ND
FDD6680ASFSTR
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
55A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
10.5 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1200pF @ 15V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
D-Pak
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
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