IRF1404ZS 40V 75A TO-263 IR/国际整流器 功率MOSFET 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-11 | 浏览次数:
IRF1404ZS 40V 75A TO-263 IR/国际整流器 功率MOSFET 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF1404ZS | IR/国际整流器 | TO-263 | 原装正品 |
场效应管 IRF3805S TO-263 IR/国际整流器 MOS管
IRF1404ZS的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复性雪崩中允许多达TJMAX
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRF140ZS的概述:
专为汽车应用,这HEXFET®功率MOSFET采用最新的加工技术,
以实现每硅片面积极低的导通电阻。
这种设计的附加功能是175°C的结工作温度,开关速度快,提高重复雪崩评级。
这些特征相结合,使这种设计对于在汽车应用中使用的非常有效和可靠的设备和各种其他应用程序。
绝对最大额定值:
一般信息
数据列表
IRF1404Z(S,L)
标准包装
800
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
HEXFET®
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.7 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
4340pF @ 25V
功率 - 最大值
220W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
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