FDD6030L N沟道 MOS管 TO-252 电源ic 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-11 | 浏览次数:
FDD6030L N沟道 MOS管 TO-252 电源ic 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDD6030L | FAIRCHILD/仙童 | TO-252 | 原装正品 |
IRF1404ZS 40V 75A TO-263 IR/国际整流器 功率MOSFET 场效应管
FDD6030L的特征:
50 A,30 V.
RDS(ON)=0.0135Ω@ VGS =10V
RDS(ON)=0.0200Ω@ VGS =4.5 V.
低栅极电荷。
开关速度快。
低CRSS。
FDD6030L的概述:
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,高密度,工艺技术制造。
这非常高密度的过程特别是针对减少通态电阻。
这些设备是特别适用于低电压的应用,如直流/直流转换器和高效率的开关电路,
其中,需要快速开关,低线的功率损耗,以及抗瞬变。
绝对最大额定值TC =25℃,除非另有说明:
一般信息
数据列表
FDD6030L
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
PowerTrench®
其它名称
FDD6030L-ND
FDD6030LTR
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Ta),50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
14.5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1230pF @ 15V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
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