STP160N75F3 ST/意法 TO-220 N沟道 75V MOS管 集成电路ic
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-11 | 浏览次数:
STP160N75F3 ST/意法 TO-220 N沟道 75V MOS管 集成电路ic
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
STP160N75F3 | ST/意法 | TO-220 | 原装正品 |
FDD6030L N沟道 MOS管 TO-252 电源ic 场效应管
STP160N75F3的特征:
导通电阻超低
100%雪崩测试
STP160N75F3的概述:
这N沟道增强型功率MOSFET是意法半导体独有的
“单一特征尺寸™”基于带状过程用更少的重要的步骤,
从而显着制造业重复性的最新改进。
由此产生的晶体管显示了低导通电阻,
坚固耐用的特点雪崩和低门电荷极高的堆积密度。
绝对最大额定值:
通过封装电流限制
脉冲宽度由安全工作区限制
根据Rthj情况下额定
一般信息
数据列表
STx160N75F3
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
STripFET™
其它名称
497-7508-5
STP160N75F3-ND
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
6750pF @ 25V
功率 - 最大值
330W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
QQ:1144020760
地址:深圳市福田区华强北都会轩1913