IRFR9014 IR/整流器 TO-252 60V/5.1A PDF资料 场效应管 原装
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-24 | 浏览次数:
IRFR9014 IR/整流器 TO-252 60V/5.1A PDF资料 场效应管 原装
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AOD508 AOS/代理 30V/70A TO-252 PDF资料 功率MOS管
IRFR9014的特征:
•动态dV / dt额定值
•重复雪崩评级
•表面贴装(IRFR9014 / SiHFR9014)
•直引线(IRFU9014 / SiHFU9014)
•可用卷带式存储
•P通道
•快速切换
•无铅(Pb) - 可用
IRFR9014的概述:
Vishay的第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速切换,
加固设备设计,
低导通电阻和成本效益的最佳组合。
DPAK设计用于使用气相,
红外或波峰焊技术进行表面贴装。
直线型(IRFU / SiHFU系列)用于通孔安装应用。
在典型的表面贴装应用中,功耗可达1.5W。
IRFR9014的订购信息:
IRFR9014的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:
IRFR9014的封装说明:
IRFR9014的同系列产品:
IRFR9014 | IRFR9020 | IRFR9024 | IRLR2905 | IRFR1050 |
IRFR1205 | IRFR2407 | IRFR2607 | IRFR2703 | IRFR2705 |
IRFR2905 | IRFR2908 | IRFR3302 | IRFR3411 | IRFR3412 |
IRFR3504 | IRFR3704 | IRFR3706 | IRFR3707 | IRFR3708 |
IRFR3709 | IRFR3714 | IRFR3715 | IRFR3910 | IRFR4104 |
电子产品广泛用于:
IRFR9014的一般信息
数据列表
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9014;
标准包装
75
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
IRFR9014的规格
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
270pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),25W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
500 毫欧 @ 3.1A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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