IRLR3915 IR/整流器 TO-252 55V/30A IRLR3915 PDF资料 功率MOS管 原装

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FQD19N10 TO-252 100V/15.6A FQD19N10 功率MOS管 PDF资料 原装正品

IRLR3915的规格书：

IRLR3915的特征：

先进工艺技术                            Advanced Process Technology

超低导通电阻                            Ultra Low On-Resistance

175°C工作温度                         175°C Operating Temperature

快速切换                                   Fast Switching

重复雪崩允许达到Tjmax           Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

无铅                                          Lead-Free

IRLR3915的概述：

专为汽车应用而设计的HEXFET®

功率MOSFET采用最新的处理技术，

以实现每个硅面积的极低导通电阻。

该产品的附加功能是175°C结工作温度，

快速切换速度和改进的重复雪崩等级。

这些功能使该设计成为一种非常高效和可靠的

用于汽车应用和各种其他应用的设备。

IRLR3915的绝对最大额定值：

IRLR3915的热阻：

IRLR3915的封装说明：

IRLR3915的同系列产品：

IRLR3915	IRLR4343	IRLR7821	IRFR420	IRFR120N
IRFR3103	IRFR1205	IRFR3303	IRFR3704	IRL3103S
IRL3104S	IRLR2705	IRLR2905	IRLR3714	IRFR210
IRFR220	IRFR9010	IRFR9014	IRFR9020	IRFR9024
IRFR9110	IRFR9210	IRFR9220	IRFR9310	IRLR2703

 电子产品广泛用于：

IRLR3915的一般信息

数据列表 IRLR3915PbF, IRLU3915PbF;   标准包装  2,000 包装  标准卷带 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET® 其它名称 IRLR3915TRPBF-ND IRLR3915TRPBFTR SP001558938

IRLR3915的规格

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss） 55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1870pF @ 25V Vgs（最大值） ±16V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 120W（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 30A，10V 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 D-Pak 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站：www.xjsic.com

联系人：姚木明

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