FDD8870 仙童 TO-252 30V/21A PDF资料 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-25 | 浏览次数:
FDD8870 仙童 TO-252 30V/21A PDF资料 功率MOS管 场效应管
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FDD8870 | 仙童 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
GBLC03CI-LF-T7 PROTEK SOD323 超低电容TVS阵列
FDD8870的特征:
rDS(ON)=3.9mΩ,VGS = 10V,ID = 35A
rDS(ON)=4.4mΩ,VGS = 4.5V,ID = 35A
高性能沟槽技术,极低的rDS(ON)
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
FDD8870的概述:
该N沟道MOSFET专门设计用于提高使用同步或常闭
开关PW控制器的DC / DC转换器的整体效率。
它已经针对低栅极电荷,
低rDS(ON)和开关速度进行了优化。
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conven tional swit ching PW Mcontrollers.
It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fa st switching speed.
FDD8870的应用:
DC / DC转换器
FDD8870的MOSFET最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:
FDD8870的热特性:
FDD8870的封装说明:
FDD8870的同系列产品:
FDD8870 | FDD8876 | FDD8878 | FDD8880 | FQD10N20 |
FQD11P06 | FQD12P10 | FQD13N06L | FQD13N10L | FQD17N08 |
FQD19N10 | FQD1N60 | FQD1N80 | FQD2N50 | FQD2N60C |
FQD2N80 | FQD2N90 | FQD3P50 | FQD4P40 | FQD5N15 |
FQD5N30 | FQD5N50C | FQD5P20 | FQD60N03L | FQD6N25 |
电子产品广泛用于:
FDD8870的一般信息
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FDD8870的规格
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