IRFR9020 IR/整流器 TO-252 50V/9.9A PDF资料 场效应管 功率MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-26 | 浏览次数:
IRFR9020 IR/整流器 TO-252 50V/9.9A PDF资料 场效应管 功率MOS管
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IRFR9020 | IR/整流器 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
AOD510 AOS/万代 TO-252 30V/70A N沟道 场效应管 PDF资料
IRFR9020的特征:
•可表面贴装(订购为IRFR9020,SiHFR9020)
•直引线选项(订购为IRFU9020,SiHFU9020)
•重复雪崩评级
•动态dV / dt额定值
•简单的驱动器要求
•易并行
IRFR9020的概述:
功率MOSFET技术是Vishay先进的功率MOSFET晶体管系列的关键。
这种最新“最新技术”设计的高效几何形状和独特的处理
实现了非常低的导通状态电阻和高跨导性;优异的反向能量和二极管恢复dV / dt。
功率MOSFET晶体管还具有MOSFET的所有众所周知的优点,
如电压控制,非常快速的开关,易于并联和电气参数的温度稳定性。
表面贴装封装通过减少杂散电感和电容来提高电路性能。
TO-252表面贴装封装将功率MOSFET的优点应用于需要PC板表面安装的大容量应用中。
表面安装选件IRFR9020,SiHFR9020提供在16mm磁带上。
该器件的直引线IRFU9020,SiHFU9020称为IPAK(TO-251)。
它们非常适合需要有限散热的应用,
例如计算机和外围设备,电信设备,DC / DC转换器和广泛的消费类产品。
IRFR9020的订购信息:
IRFR9020的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):
IRFR9020的封装说明:
IRFR9020的同系列产品:
IRFR9020 | IRFR9024 | IRLR2905 | IRFR1050 | IRFR1205 |
IRFR2407 | IRFR2607 | IRFR2703 | IRFR2705 | IRFR2905 |
IRFR2908 | IRFR3302 | IRFR3411 | IRFR3412 | IRFR3504 |
IRFR3704 | IRFR3706 | IRFR3707 | IRFR3708 | IRFR3709 |
IRFR3714 | IRFR3715 | IRFR3910 | IRFR4104 | IRFR4105 |
电子产品广泛用于:
IRFR9020的一般信息
数据列表
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9020;
标准包装
75
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
IRFR9020的规格
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
490pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
42W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 5.7A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
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