AOD514 AOS/万代 TO-252 30V/46A AOD514 PDF资料 晶体管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-27 | 浏览次数:
AOD514 AOS/万代 TO-252 30V/46A AOD514 PDF资料 晶体管
AOD514型号 | AOD514品牌 | AOD514封装 | AOD514年份 | AOD514备注 |
AOD514 | AOS/万代 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
GBLC08C-LF-T7 PROTEK SOD323 超低电容TVS阵列
AOD514的特征:
VDS 30V
ID(VGS = 10V)46A
RDS(ON)(VGS = 10V)<5.9mΩ
RDS(ON)(VGS = 4.5V)<11.9mΩ
100%UIS测试
100%Rg测试
AOD514的概述:
•最新的沟槽功率MOSFET技术
•4.5VGS的极低RDS(开)
•低栅极电荷
•高电流能力
•符合RoHS和无卤素标准
AOD514的应用:
•计算中的DC / DC转换器
•电信和工业用隔离式DC / DC转换器
AOD514的绝对最大额定值TA = 25°C,除非另有说明:
AOD514的丝印及标签说明:
AOD514的同系列产品:
AOD403 | AOD407 | AOD409 | AOD417 | AOD418 |
AOD425 | AOD442 | AOD444 | AOD446 | AOD458 |
AOD464 | AOD468 | AOD474 | AOD476 | AOD478 |
AOD480 | AOD482 | AOD492 | AOD496 | AOD508 |
AOD510 | AOD514 | AOD516 | AOD607 | AOD609 |
电子产品广泛用于:
AOD514的一般信息
数据列表
AOD514;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
其它名称
785-1357-2
AOD514的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
951pF @ 15V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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