FDD8878 TO-252 30V/40A 功率MOS管 FDD8878 PDF资料 原装正品
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-5-31 | 浏览次数:
FDD8878 TO-252 30V/40A 功率MOS管 FDD8878 PDF资料 原装正品
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FDD8878 | IR/整流器 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
PSD12C-LF-T7 SOD323 标准电容TVS阵列 PROTEK
FDD8878的特征:
rDS(ON)=15mΩ,VGS = 10V,ID = 35A
rDS(ON)=18.5mΩ,VGS = 4.5V,ID = 35A
高性能沟槽技术,极低的rDS(ON)
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
FDD8878的概述:
该N沟道MOSFET专门设计用于提高使用同步或常规开关
PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率。
它已经针对低栅极电荷,
低电平(ON)和快速开关速度进行了优化。
FDD8878的应用
DC / DC转换器
FDD8878的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:
FDD8878的热特性:
FDD8878的包装标记和订购信息:
FDD8878的同系列产品:
FDD8878 | FDD8880 | FQD10N20 | FQD11P06 | FQD12P10 |
FQD13N06L | FQD13N10L | FQD17N08 | FQD19N10 | FQD1N60 |
FQD2N50 | FQD2N80 | FQD3P50 | FQD4N20 | FQD4P40 |
FQD5N15 | FQD5N20L | FQD5N30 | FQD5N50C | FQD5P10 |
FQD5P20 | FQD60N03L | FQD6N25 | FQD6N40c | FQD8P10 |
电子产品广泛用于:
FDD8878的一般信息
数据列表
FDD8878, FDU8878;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
其它名称
FDD8878-ND
FDD8878TR
FDD8878的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
880pF @ 15V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 35A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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