IRFR3412 IR/整流器 TO-252 100V/48A IRFR3412 PDF资料 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-6-1 | 浏览次数:
IRFR3412 IR/整流器 TO-252 100V/48A IRFR3412 PDF资料 功率MOS管 场效应管
IRFR3412型号 | IRFR3412品牌 | IRFR3412封装 | IRFR3412年份 | IRFR3412备注 |
IRFR3412 | IR/整流器 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
AOD516 AOS/万代 TO-252 30V/50A AOD516 功率MOS管 晶体管
IRFR3412的应用:
开关电源(SMPS) Switch Mode Power Supply (SMPS)
电机驱动 Motor Drive
桥式变流器 Bridge Converters
全零电压开关 All Zero Voltage Switching
IRFR3412的优点:
低门电荷Qg导致简单的驱动要求
改进的门,雪崩和动态dv / dt坚固耐用
完全表征电容和雪崩电压和电流
增强体二极管dv / dt能力
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
Enhanced Body Diode dv/dt Capability
IRFR3412的绝对最大额定值:
IRFR3412的二极管特性:
IRFR3412的封装说明:
IRFR3412的同系列产品:
IRFR3412 | IRFR3504 | IRFR3704 | IRFR3706 | IRFR3707 |
IRFR3708 | IRFR3709 | IRFR3714 | IRFR3715 | IRFR3910 |
IRFR4104 | IRFR4105 | IRFR4120 | IRFR5305 | IRFR5505 |
IRFR8203 | IRFR8215 | IRFR9034 | IRFR9220 | IRFR9230 |
IRLR3714 | IRLR7833 | IRLR8113 | IRLR8203 | IRLR8503 |
电子产品广泛用于:
IRFR3412的一般信息
数据列表
IRFR3412PbF, IRFU3412PbF;
标准包装
75
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
*IRFR3412PBF
IRFR3412的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
48A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
89nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3430pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 29A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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