AOB210L AOS/万代 TO-263 30V/105A AOB210L PDF资料 功率MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-6-2 | 浏览次数:
AOB210L AOS/万代 TO-263 30V/105A AOB210L PDF资料 功率MOS管
AOB210L型号 | AOB210L品牌 | AOB210L封装 | AOB210L年份 | AOB210L备注 |
AOB210L | AOS/万代 | TO-263 | 16+ | 原装正品 |
FDD8880 仙童 TO-252 30V/58A FDD8880 PDF资料 功率MOS管 原装代理
AOB210L的特征:
VDS 30V
ID(VGS = 10V)105A
RDS(ON)(VGS = 10V)<2.9mΩ(<2.6mΩ*)
RDS(ON)(VGS = 4.5V)<3.7mΩ(<3.5mΩ*)
100%UIS测试
100%Rg测试
AOB210L的概述:
AOT210L / AOB210L采用独特优化的沟槽MOSFET技术,
提供最高效的高频开关性能。
由于RDS(ON)和Crss的组合极低,
所以功率损耗最小化
The AOT210L/AOB210L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most
efficient high frequency switching performance.
Power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Crss
AOB210L的绝对最大额定值TA = 25°C,除非另有说明:
AOB210L的热特性:
AOB210L的丝印及标签说明:
AOB210L的同系列产品:
AOB210L | AOB240L | AOB254L | AOB260L | AOB262L |
AOB266L | AOB290L | AOB409L | AOB410L | AOB411L |
AOB416 | AOB440 | AOB442 | AOB470L | AOB480L |
AOD409 | AOD417 | AOD418 | AOD425 | AOD442 |
AOD444 | AOD446 | AOD458 | AOD464 | AOD496 |
电子产品广泛用于:
AOB210L的一般信息
数据列表
AOT210L/AOB210L;
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing;
标准包装
800
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
其它名称
785-1323-2
AOB210L的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Ta),105A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.9W(Ta),176W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.6 毫欧 @ 20A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-263(D²Pak)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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