FQD12P10 TO-252 100V/9.4A FQD12P10 功率MOS管 PDF资料 原装正品

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FQD12P10	仙童	TO-252	16+	原装正品

74HC4052D 6V1A SOP14 NXP恩智浦 双路4通道模拟多路复用器多路复用器

FQD12P10的规格书：

FQD12P10的特征：

•-9.4A，-100V，

RDS（on）=0.29Ω@VGS = -10V

•低栅极电荷（典型的21 nC）

•低Crss（典型65 pF）

•快速切换

•100％雪崩测试

•改进了dv / dt功能

FQD12P10的概述：

这些P沟道增强型功率场效应晶体管是

使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产的。

这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，

提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

这些器件非常适用于低电压应用，如音频放大器，

高效率开关DC / DC转换器和直流电机控制。

FQD12P10的绝对最大额定值TC = 25°C，除非另有说明：

FQD12P10的热特性：

FQD12P10的封装说明：

FQD12P10的同系列产品：

FQD12P10	FQD13N06L	FQD13N10L	FQD17N08	FQD19N10
FQD1N60	FQD1N80	FQD2N50	FQD2N90	FQD4N20
FQD5N20L	FQD5N50C	FQD5P20	FQD60N03L	FQD6N25
FQD6N40c	FQD8P10	FDD4141	FQD17P06	FDD86540
FDD8778	FDD8796	FDD3N40	FDD6688	FDD3860

电子产品广泛用于：

FQD12P10的一般信息

数据列表 FQD12P10TM_F085;   标准包装  2,500 包装  标准卷带 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101 其它名称 FQD12P10TM_F085-ND FQD12P10TM_F085TR

FQD12P10的规格

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss） 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 800pF @ 25V Vgs（最大值） ±30V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 290 毫欧 @ 4.7A，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak） 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

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