FQD12P10 TO-252 100V/9.4A FQD12P10 功率MOS管 PDF资料 原装正品
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-6-9 | 浏览次数:
FQD12P10 TO-252 100V/9.4A FQD12P10 功率MOS管 PDF资料 原装正品
FQD12P10型号 | FQD12P10品牌 | FQD12P10封装 | FQD12P10年份 | FQD12P10备注 |
FQD12P10 | 仙童 | TO-252 | 16+ |
原装正品 |
74HC4052D 6V1A SOP14 NXP恩智浦 双路4通道模拟多路复用器多路复用器
FQD12P10的特征:
•-9.4A,-100V,
RDS(on)=0.29Ω@VGS = -10V
•低栅极电荷(典型的21 nC)
•低Crss(典型65 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv / dt功能
FQD12P10的概述:
这些P沟道增强型功率场效应晶体管是
使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻,
提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
这些器件非常适用于低电压应用,如音频放大器,
高效率开关DC / DC转换器和直流电机控制。
FQD12P10的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:
FQD12P10的热特性:
FQD12P10的封装说明:
FQD12P10的同系列产品:
FQD12P10 | FQD13N06L | FQD13N10L | FQD17N08 | FQD19N10 |
FQD1N60 | FQD1N80 | FQD2N50 | FQD2N90 | FQD4N20 |
FQD5N20L | FQD5N50C | FQD5P20 | FQD60N03L | FQD6N25 |
FQD6N40c | FQD8P10 | FDD4141 | FQD17P06 | FDD86540 |
FDD8778 | FDD8796 | FDD3N40 | FDD6688 | FDD3860 |
电子产品广泛用于:
FQD12P10的一般信息
数据列表
FQD12P10TM_F085;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
汽车级,AEC-Q101
其它名称
FQD12P10TM_F085-ND
FQD12P10TM_F085TR
FQD12P10的规格
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
800pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
290 毫欧 @ 4.7A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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