FQD19N10 TO-252 100V/15.6A FQD19N10 功率MOS管 PDF资料 原装正品
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-6-15 | 浏览次数:
FQD19N10 TO-252 100V/15.6A FQD19N10 功率MOS管 PDF资料 原装正品
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FQD19N10 | 仙童 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
74HC574PW 7.8A6V TSSOP20 八通D型触发器 NXP恩智浦
FQD19N10的特征:
•15.6A,100V,
RDS(on)=0.1Ω@VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型的19 nC)
•低Crss(典型32 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv / dt功能
FQD19N10的概述:
该N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆半导体
专有的平面条纹和DMOS技术生产。
这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,
并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
这些器件适用于开关电源,音频放大器,
直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD19N10的绝对最大额定值TC = 25oC,除非另有说明。
FQD19N10的封装说明:
FQD19N10的同系列产品:
FQD19N10 | FQD1N60 | FQD1N80 | FQD2N50 | FQD2N60C |
FQD2N80 | FQD2N90 | FQD5N15 | FQD5N20L | FQD5N30 |
FQD5N50C | FQD5P10 | FQD5P20 | FQD60N03L | FQD6N25 |
FQD6N40c | FQD8P10 | FQD1N60C | FQD17P06 | FDD8778 |
FDD5N50 | FDD6688 | FDD8451 | FDD3860 | FDD5353 |
电子产品广泛用于:
FQD19N10的一般信息
数据列表
D-PAK Tape and Reel Data;
FQD19N10L, FQU19N10L;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
QFET®
其它名称
FQD19N10LTM-ND
FQD19N10LTMTR
FQD19N10的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
870pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 7.8A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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