FDB031N08 120A75V N沟道 MOSFET FAIRCHILD仙童 TO263
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-12-14 | 浏览次数:
FDB031N08 120A75V N沟道 MOSFET FAIRCHILD仙童 TO263
FDB031N08型号 | FDB031N08品牌 | FDB031N08封装 | FDB031N08备注 |
FDB031N08 | FAIRCHILD | TO263 | 原装正品 |
HGT1S7N60C3DS 14A600V TO263 超快速二极管 FAIRCHILD
FDB031N08的特征:
•RDS(on)=2.4mΩ(典型值)@ VGS = 10V,ID = 75A
-RDS (on) = 2.4mΩ (typical) @ VGS = 10V, ID = 75A
•快速切换
-Fast switching
•低门电荷
-Low door charge
•高性能沟道技术,极低的RDS(on)
-High-performance trench technology, very low RDS (on)
•高功率和电流处理能力
-High power and current handling capability
•符合RoHS标准
-RoHS compliant
FDB031N08的描述:
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产,
该工艺专门针对最小化导通电阻并保持卓越的开关性能而设计。
FDB031N08的机械尺寸:
FAIRCHILD/仙童:
FQP47P06 | FQPF4N60 | FQP8P10 | FQP47N06 | FQP13N50 | FQP47N06 |
FDP2572 | FDP2614 | FDP20N50 | FDP12N50 | FDP5N25 | FDP8442 |
FDPF14N30 | FDPF16N50 | FDPF12N50 | FDPF5N60 | FDPF7N60 | FDPF8N50NZ |
FDD6530 | FDD6670 | FDD6680 | FDD3670 | FDD5680 | FDD8870 |
FQD10N20 | FQD11P06 | FQD13N10 | FQD17N08 | FQD3N60 | FQD3P20TM |
FQB19N20 | FDB33N25 | FDB33N10 | FQB5N90 | FQB8N60 | FQB19N20 |
FQA11N90 | FQA19N60 | FQA20N60 | FQA9N90 | FQA6N90 | FQA18N50 |
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